рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Связь
/
Вид работы: Курсовые Работы
/
Расчёт толщины базы и концентраций примесей

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Расчёт толщины базы и концентраций примесей

Работа сделанна в 1999 году

Расчёт толщины базы и концентраций примесей - Курсовая Работа, раздел Связь, - 1999 год - Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов Расчёт Толщины Базы И Концентраций Примесей. Действующая Толщина Базы Определ...

Расчёт толщины базы и концентраций примесей. Действующая толщина базы определяется соотношением 1 1 где tпр-время пролёта базы tпр , 2 где - коэффициент запаса по частоте f, 1,3 сек. Задавшись величиной перепада концентраций примеси на границах базы х 200, выразим среднее значение концентрации примеси на границах базы по формуле 3 3 Так как , 4 необходимо определить концентрацию примеси, формирующей коллекторную область Для нахождения концентрации базы NБ используем связь напряжения пробоя Uпроб с удельным сопротивлением коллектора ск , 5 где - низкочастотное значение коэффициента передачи тока в схеме ОБ , 6 Удельное сопротивление коллектора рассчитывается по формуле 7 , 7 Для выбранного нами типа структуры транзистора Ge, p-n-p B 5.2, n 0.61, l 1 6 1 x 0.8 для дрейфовых транзисторов. Подставим численные значения в выражение 7 , а затем в 5 . 0,9903 Ом см 12,748 В По графику изображенному на рис3.3.1 найдём величину концентрации No Определим среднее значение концентрации примеси NБ, формирующий проводимость базы с помощью соотношений 3 и 4 По графику, на рис 3.4.1, найдём среднее значение подвижности не основных носителей заряда в базе Определим среднее значение коэффициента диффузии в базе, воспользовавшись соотношением 8 , 8 где - тепловой потенциал, мВ 9 Подставив вышеопределённые значения в формулу 1 , найдём действующую толщину базы. Величина концентрации примеси, формирующей проводимость базы, на поверхности кристалла NБ 0 определится из соотношения 10 , 10 где х1Б 0,2 мкм бБ - коэффициент передачи тока с общей базой , 11 1,217 10-4 Подставим численные значения в выражение 10 Задавшись величиной отношения Nоэ Nб 0 , найдём концентрацию эмиттерной примеси.

Nоэ Nб 0 3. Из соотношения 12 выразим концентрацию основных носителей эмиттера. Nоэ 3 Nб 0 Nоэ 3 3,826421 1018 см-3 Проверим не превышает ли расчётное значение напряжения пробоя коллекторного перехода Uпр величину напряжения прокола транзистора Uпрок, которое рассчитывается по формуле 13 , 13 где где , 14 Подставляя численные значения в формулы 14 и 13 , найдём величину напряжения прокола транзистора.

Значение напряжения пробоя коллекторного перехода Uпр 12.748 не превышает величину напряжения прокола транзистора Uпрок 240,0092 В Uпрок Uпр Вычислим среднее значение удельного сопротивления области базы по формуле 15 , 15 По графику приведённому на рис определим среднее значение подвижности основных носителей заряда в базе 1800 Ом см 5.2

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных… В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский… В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Расчёт толщины базы и концентраций примесей

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

ОБЩАЯ ЧАСТЬ
ОБЩАЯ ЧАСТЬ. Техническое задание. Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры 1. Ном

Перечень используемых обозначений
Перечень используемых обозначений. Ak - площадь коллектора Аэ - площадь эмитера a - градиент концентрации примесей - отношение подвижностей электронов и дырок Сз.к зарядная барьерная емкость коллек

Выбор технологии изготовления транзистора
Выбор технологии изготовления транзистора. Основным элементом конструкции транзистора является кристалл, или транзисторная структура кристалла, которая представляет собой полупроводниковую пластину

Сплавно-диффузионные транзисторы
Сплавно-диффузионные транзисторы. При диффузионной технологии неоднородность эмиттерной поверхности приводит к неоднородности толщины базовой области, что ухудшает возможные частотные свойст

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. Расчёт сплавно-диффузионного транзистора. Задачи расчёта В результате расчёта должны быть определены электрофизические и геометрические параметры транзисторной структуры, пар

Расчет емкостей и размеров переходов
Расчет емкостей и размеров переходов. Задача Определить барьерные зарядные емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пла

Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот
Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот. Задача определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора. Рис. 3. Эквивалентн

Расчет обратных токов коллектора
Расчет обратных токов коллектора. Задача определить обратный ток коллекторного перехода Iк.обр. Обратный ток коллекторного перехода состоит из 3х компонент теплового тока тока термогенерации тока о

Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры
Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры. Задача Определение величины Ikmax или Pkmax, а также толщины кристалла - заготовки и других элементов

Расчёт эксплутационных параметров
Расчёт эксплутационных параметров. Максимальная расчётная мощность находится по формуле 49 , 49 мВт 5.7.2 Рассчитаем максимальное напряжение коллектора воспользовавшись соотношением 50 Uк max , 50

Выбор корпуса транзистора
Выбор корпуса транзистора. Конструктивно корпус состоит из двух основных элементов основания и баллона. Основание включает в себя фланец, изолятор и выводы. Баллон представляет собой

Обсуждение результатов
Обсуждение результатов. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 65, рассчитанное значение 150,7364. Данный биполярный транзистор в схеме с ОЭ обеспечит заданный коэффициент передачи тока. 2. Граничн