рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Связь
/
Проектирование топологии ИМС

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Проектирование топологии ИМС

Проектирование топологии ИМС - раздел Связь, Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней Проектирование Топологии Имс. Исходными Данными Являются Принципиальная Элект...

Проектирование топологии ИМС. Исходными данными являются принципиальная электрическая схема геометрические размеры элементов.

На этом этапе решаются такие вопросы, как определение необходимого числа изолированных областей, минимизация возможного числа пересечений коммутационных шин элементов и длины шин. Все транзисторы данной ИМС выполнены по стандартной конфигурации рис.1.1, рис.3.2. и рис. 3.4. Транзисторы VT5, VT6, VT12 и VT13 выполняют роль токового зеркала с коэффициентом отражения равному 0,5. Для обеспечения подобного режима работы необходимо уменьшить площадь коллектора в два раза. Схемотехнически удобнее выполнить эти транзисторы в одном кармане, с общей базой и общим эмиттером.

Резистор R2 номиналом 40 кОм имеет сложную форму, т.е. выполнен в виде меандра. Все резисторы помещены в один изолирующий карман, и подключается к самому положительному потенциалу схемы, т.е. к коллекторному источнику питания.

При проектировании топологии генератора использовалось два слоя металлизации, т.к. коммутация элементов одним слоем была затруднительна.

Для уменьшения паразитной емкости между контактными площадками и подложкой под каждой из них создана изолированная область.

Топологический чертеж принципиальной схемы приведен в Приложении 2.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней

Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии… Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и… К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования получение исходных данных расчет геометрических размеров…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Проектирование топологии ИМС

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС
Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС. Основной структурой, определяющей электрические параметры и характеристики микросхемы, является транзистор. Поэтому, исходя из требований, предъявляе

Основные правила проектирования топологии ИМС
Основные правила проектирования топологии ИМС. Главное требование при разработке топологии - максимальная плотность упаковки элементов при минимальном количестве пересечений межэлементных соединени

Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС
Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС. В данном разделе приведена методика расчетов геометрических размеров биполярных транзисторов и геометрических размеров резисторов. 2.1

Расчет геометрических размеров резисторов
Расчет геометрических размеров резисторов. Резисторы биполярных микросхем обычно изготавливаются на основе отдельных диффузионных слоев транзисторной структуры или из поликремния. Исходными

Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора
Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора. Расчет геометрических размеров n-p-n транзистора производится в соответствии с методикой приведенной в пункте 2.1 следовательно, все ра

Расчет геометрических размеров биполярного p-n-p транзистора
Расчет геометрических размеров биполярного p-n-p транзистора. Горизонтальный транзистор отличатся от вертикального тем, что до коллекторной области доходят только те носители, которые инжектируют б

Расчет геометрических размеров диффузионного резистора
Расчет геометрических размеров диффузионного резистора. В схеме генератора Приложение 1 присутствуют 6 резисторов. Наибольшее распространение получили диффузионные резисторы на основе базово

Список использованных источников
Список использованных источников. Матсон Э.А Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем Мн. Высш. шк. 1982 2. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектир