рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Структура со сдвоенной квантовой ямой. Энергетический спектр частицы в системе с δ-образным барьером.

Структура со сдвоенной квантовой ямой. Энергетический спектр частицы в системе с δ-образным барьером. - Лекция, раздел Философия, ЛЕКЦИЯ №1 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ Выше Мы Рассмотрели Поведение Частиц В Системах, Содержа­щих Изолированные Кя...

Выше мы рассмотрели поведение частиц в системах, содержа­щих изолированные КЯ и потенциальные барьеры. Как уже отме­чалось, накопленный к настоящему времени опыт и достижения техники для выращивания эпитаксиальных структур позволяют создавать и более сложные гетерокомпозиции, содержащие полу­проводниковые слои со сложным потенциальным профилем. С этой точки зрения большой интерес представляет изучение энерге­тического спектра частиц в связанных квантовых ямах, так как в таких системах возможно направленное регулирование энергети­ческого спектра и скоростей рассеяния электронов с помощью из­менения не только формы КЯ, но и связи между квантовыми яма­ми. Структуры со связанными КЯ стали основой многих электрон­ных и оптоэлектронных приборов. На их основе созданы лазеры инфракрасного (ИК) диапазона, приемники ИК-излучения, элемен­ты нелинейной оптики и быстродействующие транзисторы.

Для выяснения влияния, оказываемого сближением изолиро­ванных квантовых ям, рассмотрим систему, состоящую из двух одинаковых одномерных прямоугольных квантовых ям, разделен­ных проницаемым потенциальным барьером (рис. 1.13).

Обсудим прежде всего качественные изменения. Известно, что энергетический спектр такой системы имеет вид дублетов. Волновая функция в данном случае является реше­нием уравнения (1.1.2) с потенциалом, показанным на рис. 1.13. Если квантовые ямы достаточно удалены друг от друга, то между ними волновая функция практически равна нулю. Решение (1.1.2) в окрестности каждой КЯ в этом случае будет практически совпадать с решением (1.4.12) для изолированной квантовой ямы с тем отличием, что величина вследствие нормировки умень­шится вдвое. Волновая функция для наинизшего квантового состояния приведена на рис. 1.13, а.

Однако для данной задачи возможно и другое решение урав­нения Шредингера (рис. 1.13, б). Единственное различие между -функциями, показанными рис. 1.13, состоит в изменении знака

Рис. 1.13. Потенциальный профиль и вол­новые функции для системы из двух пря­моугольных квантовых ям

в одной из КЯ и означает, что волновая функция (включая зави­симость от времени) в одной из ям отличается по фазе на 180° от в другой яме. Принято говорить, что волновая функция, пред­ставленная на рис. 1.1.3, а, симметрична, а волновая функция (рис. 1.13,б)- антисимметрична.

Между значениями энергии для обоих решений разницы прак­тически нет, что следует из одинаковой для формы , а следо­вательно, одинаковой средней кинетической энергии и средней потенциальной энергии.

При сближении квантовых ям волновые функции изменяют форму (рис. 1.14). В этом случае волновая функция, показанная на рис. 1.14, а, будет давать меньшее значение полной энергии E, по­скольку для нее среднее значение потенциальной энергии приблизи­тельно такое же, как и в случае, приведенном на рис. 1.14, б, тогда как среднее значение кинетической энергии меньше, так как меньше среднее значение .

Рис. 1.14. Изменение волновых функций при изменении рас­стояния между квантовыми ямами

 

В предельном случае (рис. 1.15), когда ширина барьера между ямами равна нулю, т. е. ямы только что соприкоснулись, -функция (рис. 1.15, а) есть не что иное, как волновая функция основного состояния для квантовой ямы шириной 2W. Поскольку, согласно (1.4.2) и (1.4.7), энергия глубо­ких состояний E ~ En2 /w2 (w2- ширина рассматриваемой ямы), со­ответствующее значение Е составит примерно 1/4 энергии Е для квантовых ям, показанных на рис. 1.13. Аналогично волновая функ­ция, приведенная на рис. 1.15, б, есть волновая функция с п=2 для КЯ шириной 2W . Таким образом, значение Е, связанное с этой функцией , будет примерно такое же, что и Е для волновой функции на рис. 1.13, так как n увеличилось в два раза (равенство будет точным для КЯ с бесконечно высокими стенками).

Зависимость энергии для этих двух состояний от расстояния L между КЯ показана на рис. 1.16. Для обоих состояний исходным является значение энергии Е1 при L=∞ (Е1, - энергия частицы в состоянии n = 1 для прямоугольной КЯ конечной глубины). Из рис. 1.16 следует также, что при любом значении L уровень Е1, соответствующий изолированной квантовой яме, расщепляет­ся на два уровня (образуется дублет), причем это расщепление растет с уменьшением расстояния между КЯ. При этом, если частица находится в состоянии с более низкой энергией, то волно­вые функции в обеих КЯ оказываются в одной фазе; если частица находится во втором состоянии, то волновые функции оказываются в противоположных фазах.

Отметим, что расщепление уровней во взаимодействующих квантовых ямах анало­гично расщеплению резонансных час­тот в связанных резонансных контурах.

Рассмотрим более подробно энерге­тический спектр частицы в системе, со­стоящей из двух квантовых ям, разделенных 8-образным барьером (рис. 1.17). Распределение потенциала можно записать в виде

причем α > 0.

Рис. 1.15. Волновые функ­ции для предельного слу­чая, когда барьер только что исчез   Рис. 1.16. Зависимости энергии от L для симметричного (а) и антисиммет­ричного (б) состояний в связанных квантовых ямах  

Для состояния частицы в этом потенциале описываются уравнением Шредингера

(1.9.1)

 

Рис. 1.17. Энергетическая диаграмма КЯ с δ-образным потенциалом

 

В интервале решение (1.9.1) имеет вид

 

(1.9.2)

а для

(1.9.3)

здесь

С учетом граничных условий в точках получаем

(1 .9.4)

(1 .9.5)

При наличии δ-образного потенциала граничные условия в точке x = 0 принимают вид

Отсюда получаем выражение, определяющее спектр четных раз­решенных состояний в данной системе,

(1.9.6)

Анализируя (1.9.6) в пределе и (последнее неравенство ограничивает рассмотрение состояний с достаточно низкой энергией), для четных (симметричных) состояний получим

(1.9.7)

здесь - энергия п -го уровня в БПЯ шириной W, найденная по формуле (1.4.7), п = 1, 2, 3,...

Для нечетных состояний волновая функция при x = 0 должна равняться нулю. Согласно (1.9.4) и (1.9.5) данное условие выпол­няется, если .

При этом энергия частицы, находящейся в нечетном (антисим­метричном) состоянии, будет определяться выражением

(1.9.8)

т. е. в нечетном состоянии частица как бы «не чувствует» наличия δ-образного потенциала в точке x = 0 симметричной системы.

Сопоставляя (1.9.7) и (1.9.8), заметим, что . Именно та­кое расположение состояний и вытекало из предшествующего рас­смотрения подобной системы.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ЛЕКЦИЯ №1 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ

ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ... План лекции... Фундаментальные явления...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Структура со сдвоенной квантовой ямой. Энергетический спектр частицы в системе с δ-образным барьером.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Фундаментальные явления.
Поведение подвижных носителей заряда (электронов и дырок) в наноразмерных структурах определяют три группы фундаментальных явлений: квантовое ограничение, баллистический транспорт и квантовая интер

Гетеропереходы первого и второго типов.
Рассмотрим одиночный гетеропереход между двумя полупроводни­ками A и B, имеющими в общем случае различную ширину запре­щенной зоны

Энергетическая диаграмма одномерной сверхрешётки
Полупроводниковые квантово-размерные структуры на основе гетеропереходов принято различать по числу направлений, вдоль которых происходит ограничение движения носителей заряда (электронов или дырок

Рассеяние частиц на потенциальной ступеньке.
Проведем анализ системы, в которой частицы, испускаемые ис­точником, удаленным на большое расстояние, рассеиваются на той или иной преграде, уходя после этого в бесконечность. Простейшей м

Потенциальный барьер конечной ширины.
В реальной физической ситуации мы всегда имеем дело с барь­ером конечной ширины. Найдем коэффициенты отражения и про­хождения при движении частицы через прямоугольный потенци­альный барьер ширины

Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
Рассмотрим особенности прохождения частицы над прямо­угольным потенциальным барьером (рис. 1.2, а), когда E>U1, и E>U2. Сразу отметим, что надба

Частица в прямоугольной потенциальной яме.
При выращивании пленки узкозонного полупроводника между двумя слоями широкозонного материала может быть реализован потенциальный рельеф, показанный на рис. 1.4.

Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
Мы рассмотрели случай, когда полная энергия частицы Е меньше высоты стенок потенциальной ямы (финитное движение). Здесь размерный эффект проявляется в квантовании энергии и волнового вектора

Движение частицы в сферически симметричной прямоугольной потенциальной яме.
Развитие нанотехнологии инициировало широкое исследование новых классов нанообъектов, в частности квантовых точек, в кото­рых осуществляется пространственное ограничение носителей за­ряда в трех из

Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме с бесконечными стенками и дополнительным провалом.
Возможность получения слоев с произвольным профилем из­менения состава позволила для улучшения характеристик прибо­ров использовать структуры с КЯ сложной формы. Так, для созда­ния нового поколения

Энергетическая диаграмма квантовой ямы с конечными стенками и дополнительным провалом.
В реальности мы имеем дело с потенциальными ямами, стенки которых имеют конечную высоту (см. рис. 1.9, а). Рассмотрим влияние конечной высоты стенок на разрешенные значения энер­гии основног

Прохождение частицы через многобарьерные квантовые структуры.
При исследовании поведения частицы (электрона) в системах, содержащих изолированные КЯ и потенциальные барьеры, уста­новлено, что при туннелировании через одиночный потенциаль­ный барьер коэффициен

Электрон-фононное рассеяние.
Расчеты механизмов электрон-фононного рассеяния в низ­коразмерных полупроводниковых структурах показывают, что они во многом схожи с процессами в объемных полупроводни­ках, например, такое рассеяни

Межподзонное рассеяние.
Рассмотрим двумерную электронную систему, локализован­ную в потенциальной яме, входящей в состав модулированно-легированной гетероструктуры или полевого МОП-транзистора. Очевидно, что при достаточн

Экспериментальные данные по продольному переносу
На рис. 6.2 представлены данные, иллюстрирующие прогресс, достигнутый в области повышения подвижности электронов при продольном переносе за последние двенадцать лет в наноструктурах на основе GаАs,

Продольный перенос горячих электронов
В некоторых типах полевых транзисторов и нано­структур кинетическая энергия электронов, ускоряемых элек­трическим полем, может становиться очень высокой и значительно превышать равновесную тепловую

Поперечный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
В этом разделе мы рассмотрим движение носителей в направле­нии, перпендикулярном плоскостям потенциальных барьеров, разделяющих квантовые гетероструктуры. Такой вид перено­са часто ассоциируется с

Резонансное туннелирование
Резонансное туннелирование (РТ) сквозь двойной потенци­альный барьер является одним из явлений вертикального квантового переноса, уже нашедший широкое практическое применение в создании диодов и тр

Влияние поперечных электрических полей на свойства сверхрешеток
Ранее уже указывалось, что электронные состояния в сверх­решетках образуют электронные зоны или подзоны, которые гораздо уже, чем соответствующие зоны в обычных кристаллах. Малая ширина зон и энерг

Квантовый перенос в наноструктурах
Рассмотрим далее процессы квантового переноса, происходя­щие при протекании через наноструктуры тока от присоеди­ненных к ним внешних источников. Такие процессы можно также назвать мезоскопическим

Квантовая проводимость. Формула Ландауэра.
Для самого простого описания эффектов квантовой проводи­мости удобно рассмотреть одномерную мезоскопическую по­лупроводниковую структуру, типа квантовой проволоки. Если такая проволока является дос

Формула Ландауэра — Бюттикера для квантового переноса в многозондовых структурах
Полученное в предыдущем разделе выражение (6.15), описыва­ющее квантовый перенос в наноструктуре с двумя контактами, может быть обобщено на случай систем с большим числом кон­тактов. Рассмотрим, на

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги