Резонансное туннелирование - Лекция, раздел Философия, ЛЕКЦИЯ №1 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ Резонансное Туннелирование (Рт) Сквозь Двойной Потенциальный Барьер Является...
Резонансное туннелирование (РТ) сквозь двойной потенциальный барьер является одним из явлений вертикального квантового переноса, уже нашедший широкое практическое применение в создании диодов и транзисторов. На рис. 6.6, а представлены схематические энергетические диаграммы наноструктуры с двойным барьером, изготовленной из нелегированного GаАs, покрытого с двух сторон слоями АlGaAs, а на рис. 6.6, б и 6.6, в представлена аналогичная структура, при приложении возрастающего по величине внешнего электрического поля. Резонансное туннелирование происходит при напряжении V1= 2Е/е, где Е совпадает с квантовым энергетическим уровнем Е1. При этом уровень Ферми ЕFдля металлического контакта слева совпадает с уровнем п = 1 ямы и коэффициент туннельного пропускания приближается единице, в результате чего ток через структуру возрастает. Когда величина приложенного поля становится выше 2Е1/е и уровень ЕFпревышает Е1,ток через структуру уменьшается, как показано на рис. 6.6, в. На рис. 6.6, г представлена схематически зависимость тока от напряжения (вольт-амперная характеристика) для такой структуры. Очевидно, что при дальнейшем возрастании напряжения V барьеры, которые приходится преодолевать электронам, становятся меньшими по величине, и ток через структуру должен вновь нарастать.
Рис. 6.6. Общая схема, описываемого в тексте, резонансного туннельного эффекта
Это качественное описание было подтверждено количественными данными экспериментов Эсаки и Тцу как для диодов, так и для сверхрешеток из квантовых гетероструктур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Наиболее важной особенностью получаемых вольт-амперных характеристик (типа представленной на рис. 6.6, г)является то, что после максимума наклон кривой становится отрицательным, т. е. появляется область отрицательного дифференциального сопротивления. Для понимания характеристик пропускания двойного барьера удобно воспользоваться расчетами, относящимися к одиночным барьерам, для которых вероятность пропускания D(E) (иногда этот коэффициент называют просто прозрачностью барьера) непрерывно возрастает с ростом энергии Е электронов в диапазоне энергий Е/е < V0. Ситуация кардинально изменяется в случае двойного барьера, когда сама функция D(E) приобретает более сложный вид и представляет собой произведение двух величин, а именно DE (для первого барьера или эмиттера) и DF (для второго барьера или коллектора), что дает
D(E) = DE DC. (6.2)
При этом нас вновь будут интересовать лишь ситуация, когда Е меньше высоты барьеров. Для нахождения D(Е)можно воспользоваться так называемым методом обращения матриц, хорошо известным из учебников по квантовой механике и оптике. Метод связывает коэффициенты падающих и отраженных волновых функций от двух соседних барьеров при помощи матрицы 2x2, называемой матрицей переноса. Задача наиболее просто решается в случае идентичности барьеров. Коэффициент пропускания такой двухбарьерной структуры определяется соотношением
, (6.3)
где величины D0 и R0 представляют собой коэффициенты пропускания и отражения для одиночного барьера, а — толщина ямы, параметр k является волновым числом электрона для волновой функции внутри ямы, а q — фазовый угол.
На рис. 6.7 представлена зависимость D(Е)от Е для некоторой структуры с резонансным туннелированием (RТ-структуры), описываемой тремя энергетическими уровнями в квантовой яме. Отметим, что коэффициент пропускания становится равным единице при трех значениях энергии, совпадающих с энергией каждого из уровней, т. е. когда энергия падающего электрона точно равна энергии одного из уровней. При этом ширина резонансного пика возрастает с энергией, что может быть качественно объяснено на основе принципа неопределенности Гейзенберга (в соответствии с этим принципом величина DЕ должна быть обратно пропорциональна времени жизни т состояний внутри ямы). Туннелирование электронов на более высоких уровнях проходит через более низкие барьеры, вследствие чего им и соответствуют меньшие значения t.
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ... План лекции... Фундаментальные явления...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Резонансное туннелирование
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Фундаментальные явления.
Поведение подвижных носителей заряда (электронов и дырок) в наноразмерных структурах определяют три группы фундаментальных явлений: квантовое ограничение, баллистический транспорт и квантовая интер
Гетеропереходы первого и второго типов.
Рассмотрим одиночный гетеропереход между двумя полупроводниками A и B, имеющими в общем случае различную ширину запрещенной зоны
Энергетическая диаграмма одномерной сверхрешётки
Полупроводниковые квантово-размерные структуры на основе гетеропереходов принято различать по числу направлений, вдоль которых происходит ограничение движения носителей заряда (электронов или дырок
Рассеяние частиц на потенциальной ступеньке.
Проведем анализ системы, в которой частицы, испускаемые источником, удаленным на большое расстояние, рассеиваются на той или иной преграде, уходя после этого в бесконечность.
Простейшей м
Потенциальный барьер конечной ширины.
В реальной физической ситуации мы всегда имеем дело с барьером конечной ширины. Найдем коэффициенты отражения и прохождения при движении частицы через прямоугольный потенциальный барьер ширины
Частица в прямоугольной потенциальной яме.
При выращивании пленки узкозонного полупроводника между двумя слоями широкозонного материала может быть реализован потенциальный рельеф, показанный на рис. 1.4.
Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
Мы рассмотрели случай, когда полная энергия частицы Е меньше высоты стенок потенциальной ямы (финитное движение). Здесь размерный эффект проявляется в квантовании энергии и волнового вектора
Прохождение частицы через многобарьерные квантовые структуры.
При исследовании поведения частицы (электрона) в системах, содержащих изолированные КЯ и потенциальные барьеры, установлено, что при туннелировании через одиночный потенциальный барьер коэффициен
Электрон-фононное рассеяние.
Расчеты механизмов электрон-фононного рассеяния в низкоразмерных полупроводниковых структурах показывают, что они во многом схожи с процессами в объемных полупроводниках, например, такое рассеяни
Межподзонное рассеяние.
Рассмотрим двумерную электронную систему, локализованную в потенциальной яме, входящей в состав модулированно-легированной гетероструктуры или полевого МОП-транзистора. Очевидно, что при достаточн
Экспериментальные данные по продольному переносу
На рис. 6.2 представлены данные, иллюстрирующие прогресс, достигнутый в области повышения подвижности электронов при продольном переносе за последние двенадцать лет в наноструктурах на основе GаАs,
Продольный перенос горячих электронов
В некоторых типах полевых транзисторов и наноструктур кинетическая энергия электронов, ускоряемых электрическим полем, может становиться очень высокой и значительно превышать равновесную тепловую
Поперечный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
В этом разделе мы рассмотрим движение носителей в направлении, перпендикулярном плоскостям потенциальных барьеров, разделяющих квантовые гетероструктуры. Такой вид переноса часто ассоциируется с
Влияние поперечных электрических полей на свойства сверхрешеток
Ранее уже указывалось, что электронные состояния в сверхрешетках образуют электронные зоны или подзоны, которые гораздо уже, чем соответствующие зоны в обычных кристаллах. Малая ширина зон и энерг
Квантовый перенос в наноструктурах
Рассмотрим далее процессы квантового переноса, происходящие при протекании через наноструктуры тока от присоединенных к ним внешних источников. Такие процессы можно также назвать мезоскопическим
Квантовая проводимость. Формула Ландауэра.
Для самого простого описания эффектов квантовой проводимости удобно рассмотреть одномерную мезоскопическую полупроводниковую структуру, типа квантовой проволоки. Если такая проволока является дос
Новости и инфо для студентов