Теория Гинзбурга-Ландау - раздел Электротехника, Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля Будем Описывать Теорией Фазовых Переходов Ii Рода. Вопрос Состоит В Том, Чтоб...
Будем описывать теорией фазовых переходов II рода. Вопрос состоит в том, чтобы выбрать в качестве параметра порядка.
Гинзбург и Ландау в качестве параметра порядка предложили взять -функцию макроскопическую волновую функцию конденсированного сверхпроводящего состояния.
заменим , - плотность куперовских пар (сверхпроводящих электронов)
- масса куперовской пары
- заряд куперовской пары.
, здесь 2 параметра (модуль и фаза)
,
Число нитей , нити образуют прямоугольную решетку
вокруг нити текут магнитные потоки а внутри е пронизывает магнитное поле
-квантование магнитного потока
при больших Н нити сливаются и следовательно образец переходит в нормальное состояние. , но при пропускании токи по СП второго рода, движение вихрей приводит к дислокации, чтобы сохранить СП свойства водят примеси, вихри осаждаются на примеси
-плотность энергии на ед поверхности
для СП первого рода >0, для вторго рода <0
Эффект Мейснера и (идеальной проводник) это не зависимые свойства (из одного не следует другое)
1 пункт----- при T=const, пр котор , причем T<Включ. поле , возник сила Ленца при этом
2 пункт---- далее Т1> ,
теперь T< ,
Существено что диамагнетики во внеш магнитных полях обладают механич устойчивостью, те СП мб подвешен
(заштрихованный шарик)(диамагнетик min поле) левитация
а парамагнетик «приклеится» к полюсу max поля
Нити дробятся до тех пор пока значение не станет рано кванту после этого проводимость теряется
Сверхпроводимость-сверхтекучесть заряженного газа
Сверхтекучесть-протекание жидкости по капилярным каналам без трения
известно что сверхтекучесть связана с Бозе-конденсацией – выпадение макроскопического числа частиц на низший энергетический уровень
растет и при некоторой темпратуре T=, подвижность равна нулю. (исходя из выражения в знаменателе) выпадение на уровень с энергией =0 макроскопических частиц. Если частицы отталкиваются друг от друга то это и будет сверхтекучесть
не зависимо от механизма токопрохождения
1) для механизм магнитосопротивления следующий
сечение образца эффективно большое e движутся кажд в своем слое
2) для
скорость тунелирования меньше так как спин не меняется при тунелировании.
Пленки делают из разных металлов
первый из магнитожесткого материала велика
второй из магнитомягкого материала мало
информация с головки считывается электичесим образом
RAM: «+»энергонезависимая память пытаются создать на эффекте МГС (назыв MRAM) ориентация и считывние происходит электрческимобразом состояния с низким сопротивлеием – лог 1, с высоким сопротивлеием лог-0
«считывание»-измерение сопротивления образца
«запись»- пропускание электричесого тока
память состоит из сетки шин , а сами элементы памяти находятся в узлах сетки.
переход в сверхпроводнике – состояние энергетически выгодно.
40-2
Проникновение поля в сверхпроводник выигрыш в энергии.
Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Теория Гинзбурга-Ландау
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
Если есть сост., то оно м.б. либо заполнено, либо не заполнено. Сущ. некий уровень E0–уровень электронейтральности, такой что если уровень Ферми совпадет с ур.
Р-n переходе.
Ток – состояние неравновесное, можно ввести квазиуровни Ферми.
ВАХ реального диода.
1 и 3 области – причина токов генерации и рекомбинации в объеме перехода.
ВАХ контакта Шоттки.
Положительное смещение соответствует минусу на Ме и плюсу на п/п n типа (зоны смещаются вверх). При положительном барьер уменьшается, при отрицательном сужается (возрастает).
Природа и свойства связанных состояний.
Образование квантовых состояний представляет собой чисто квантово0-механическое явление, т.к. в классической физике система разноименно заряженных частиц, взаимодействующих по закону Кулона, неусто
Свойства глубоких уровней.
1. Амфотерность – любая примесь может быть и донором и акцептором.
2. Многозарядность – один и тот же примесный атом может создавать несколько различных уровней с различающимся зарядом.
Методы описания
Метод эффективной массы вследствие r0~a(переменной решетки), не применим(волновая функция плавно меняется на периоде решетки!). Для наглядного описания модно пользоваться методом сильной
Опыт Дорфмана.
Через тонкую никелевую фольгу толщиной - 20 мкм, помещенную между полюсами электромагнита нормально к ее поверхности, пропускался пучок электронов. При постановке опыта никелевая фольга была нама
Микроскопическая природа ферромагнетизма
Атомы или ионы приобретают магнитный момент, как правило, если они имеют нескомпенсированные спины электронов. Например в атомах железа на внутренней 3d-оболочке имеется четыре нес
Обменное взаимодействие.
Причина магнитного упорядовачиния связана с кулоновским взаимодействием электронов.Которое зависит от спина.Когда мы рассматриваем основные приближения зонной теории то при описании
Новости и инфо для студентов