рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Связь
/
Вид работы: Курсовые Работы
/
Использованные источники

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Использованные источники

Работа сделанна в 1998 году

Использованные источники - Курсовая Работа, раздел Связь, - 1998 год - Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения Использованные Источники. А.и.непомнящих. Рост Кристаллов. Курс Лекции...

Использованные источники. А.И.Непомнящих.

Рост кристаллов. Курс лекции. ИГУ. 1997. 2.Л.П.Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. Москва. Высшая школа. 1975. 3.Под редакцией К.В.Шалимов. Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам. Москва. Высшая школа. 1968. 4.А.С.Стильбанс. Физика полупроводников. Москва. Советское радио. 1967. 5. Под редакцией И.К. Кикоина. Справочник. Таблица физических величин. Москва. Атомиздат.1976.С.467-505. 6. Постников В.С Колокольников Б.М Капустин Ю.А Установка для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках-ПТЭ 1988 N2. 7. Бонч-Бруевич В.Л Калашников С.Г Физика полупроводников.

М. Наука 1990 С. 246-258.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения

Наиболее чистые материалы получают путем синтеза кремния в газовую фазу SiCl3, последующую очистку и восстановления чистого кремния. Данный метод достаточно дорог для солнечной энергетики, так как в солнечных… В связи с этим, рядом научных и производственных объединений Иркутской области ведутся работы по получению более…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Использованные источники

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Технология получения столбчатого мультикремния из кремния полученного методом карботермического восстановления
Технология получения столбчатого мультикремния из кремния полученного методом карботермического восстановления. В этом году институтом Геохимии СО РАН проводились работы по совершенствованию методи

Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства
Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства. Электрофизические параметры образцов приведены в таблице 1. NТип провод. Ом см Ом-1 см-1 R см3 кn см-3 см3 в сd см7-1N0.1456

Понятие времени жизни
Понятие времени жизни. неравновесных носителей заряда. В полупроводнике 5,7 под влиянием внешнего воздействия концентрации электронов и дырок могут изменяться на много порядков. При термодин

Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках
Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках. В данной работе описана установка См. приложение 2 Принципиальная схема устройства. для определения времени жи