Определение параметров p-n перехода - Курсовая Работа, раздел Связь, - 2001 год - Мати -Ргту Им. К. Э. Циолковского Тема Определение Параметров P-N Перехода Ка...
МАТИ -РГТУ им. К. Э. Циолковского тема Определение параметров p-n перехода Кафедра Xx x x Курсовая работа студент Хx X. X. группа XX-X-XX дата сдачи оценка г. Москва 2001 год Оглавление 1. Исходные данные 2. Анализ исходных данных 3. Расчет физических параметров p- и n- областей 3 а эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны 3 б собственная концентрация 3 в положение уровня Ферми 3 г концентрации основных и неосновных носителей заряда 4 д удельные электропроводности p- и n- областей 4 е коэффициенты диффузий электронов и дырок 4 ж диффузионные длины электронов и дырок 4. Расчет параметров p-n перехода 4 a величина равновесного потенциального барьера 4 б контактная разность потенциалов 4 в ширина ОПЗ 5 г барьерная ёмкость при нулевом смещении 5 д тепловой обратный ток перехода 5 е график ВФХ 5 ж график ВАХ 6, 5. Вывод 6. Литература 8 1. Исходные данные 1 материал полупроводника - GaAs 2 тип p-n переход - резкий и несимметричный 3 тепловой обратный ток - 0,1 мкА 4 барьерная ёмкость - 1 пФ 5 площадь поперечного сечения S - 1 мм2 6 физические свойства полупроводника Ширина запрещенной зоны, эВ Подвижность при 300К, м2 Вс Эффективная масса Время жизни носителей заряда, с Относительная диэлектрическая проницаемость электронов Дырок электрона mn me дырки mp me 1,42-8 0,85-8 0,04-8 0,067-8 0,082-8 10-8 13,1-2. Анализ исходных данных 1. Материал легирующих примесей а S сера элемент VIA группы не Me б Pb свинец элемент IVA группы Me 2. Концентрации легирующих примесей Nа 1017м -3, Nд 1019м -3. Температура T постоянна и равна 300К вся примесь уже ионизирована 4 ширина запрещенной зоны 5 подвижность электронов и дырок 6 эффективная масса электрона и дырки 7 время жизни носителей заряда 8 относительная диэлектрическая проницаемость 3. Расчет физических параметров p- и n- областей а эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны б собственная концентрация в положение уровня Ферми рис. 1 рис. 2 рис. 1 рис. 2 г концентрации основных и неосновных носителей заряда д удельные электропроводности p- и n- областей е коэффициенты диффузий электронов и дырок ж диффузионные длины электронов и дырок 4. Расчет параметров p-n перехода a величина равновесного потенциального барьера б контактная разность потенциалов в ширина ОПЗ переход несимметричный г барьерная ёмкость при нулевом смещении д тепловой обратный ток перехода е график ВФХ - общий вид функции для построения ВФХ ж график ВАХ - общий вид функции для построения ВАХ Ветвь обратного теплового тока масштаб Ветвь прямого тока масштаб Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам - величина равновесного потенциального барьера равна , что соответствует условию 0,7эВ - барьерная емкость при нулевом смещении равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному 1пФ - значение обратного теплового тока равно 1,9210-16А т.е. много меньше заданного 0,1мкА Литература 1. Шадский В. А. Конспект лекций Физические основы микроэлектроники 2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу ФОМ . Москва, 1996 г. 3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники.
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Определение параметров p-n перехода
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным для Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Еще рефераты, курсовые, дипломные работы на эту тему:
Расчет параметров ступенчатого p-n перехода
Исходные данные для расчета приведены в таблице 1. Таблица 1. Наименование параметра Единицы измерения. Условное обозначение Значение в единицах… Наибольший интерес представляет контакт полупроводника с полупроводником.
Этот интерес вызван следующими двумя обстоятельствами.
Определение температуры фазового перехода ферромагнетик-парамагнетик
Эту величину называют вектором намагничивания где - магнитный момент отдельной молекулы. Вектор намагничивания связан с напряженностью магнитного… Все они имеют недостроенные d- или f- оболочки.
Ферромагнитные свойства вещества объясняются тем, что между атомами этого вещества существует особое взаимодействие,…
Определение параметров детонации заряда ВВ
Такие времена реакции, порядка 1 мкс, возможны лишь при очень высоких давлениях, при которых волны сжатия всегда трансформируются в ударные волны.
Таким образом, детонацию можно представить себе как совокупное действие… Исходное состояние системы характеризуется начальным давлением Ро и начальным удельным объемом Vо. Под действием…
Родовидовые определения. Правила определения понятий
Родовидовым назовем определение через род и видовое отличие. Родовидовое определение имеет следующую структ уру: А= dfВ и С, где А — определяемое… Например, для понятия стула — «предмет мебели», для понятия преступления —… Правила определения 1. Правило соразмерности. Прежде, чем описать, в чем заключается это правило, продолжим нашу…
Определение параметров детонации заряда ВВ
Такие времена реакции, порядка 1 мкс, возможны лишь при очень высоких давлениях, при которых волны сжатия всегда трансформируются в ударные волны.
Таким образом, детонацию можно представить себе как совокупное действие… Исходное состояние системы характеризуется начальным давлением Ро и начальным удельным объемом Vо. Под действием…
0.038
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Кванты излучения и переходы. Уровни энергии и спектральные переходы в атоме водорода
Её традиционные интересы обычно лежат в нерелятивистской области, хотя по необходимости и всё чаще она прибегает и к релятивистским… В последние годы возникал наноэлектроника. Она занимается объектами, размеры… Причиной сильного взаимодействия являются ядерные силы, которые в ядре действуют между нейтроном и протоном и…
Определение параметров материалов по данным рентгенографии
Получающаяся дифракционная картина регистрируется на фотопластинке, помещенной перпендикулярно к направлению первичного луча на расстоянии 30 50 мм… В результате такого селективного выборочного отражения рентгеновских лучей… Это обстоятельство не нуждается в особом пояснении, так как совершенно очевидно, что симметричному расположению…
Основные параметры помехоустойчивого кодирования. Основные параметры помехоустойчивых кодов
Закодированные цифровые сообщения всегда содержат дополнительные, или избыточные, символы. Эти символы используют для того, чтобы подчеркнуть… Для понимания процесса кодирования полезно рассмотреть каждое из этих свойств… Кроме того, вероятность, что мы окажемся правы, возрастает с увеличением длины блока. При увеличении длины блока доля…
Определение основных параметров тепловоза ТЭ-116
При необходимости каждая секция может быть использована, как самостоятельная тяговая единица.
Технические данные тепловоза.
Год постройки первого тепловоза: 1971. Изготовитель: Ворошиловградский завод. Осевая формула: 2(30 – 30) Мощность по…
Новости и инфо для студентов